Автоусилитель Kicx KAP 51 в Днепропетровске
- О главном
- Цены (0)
- Отзывы (0)
- Вопросы-ответы (0)
К сожалению, предложений по продаже автоусилителя Kicx KAP 51 в данное время нет.
Не нашли то, что искали?
Kicx KAP 51
https://technoportal.ua/avtousiliteli/kicx/kicx-kap-51284/comments.html
0
(0 оценок)
Оценить?
Популярные Автоусилители Kicx в Днепропетровске
- Цены на автоусилитель Kicx KAP 51 в городе Луцк
- Цены на автоусилитель Kicx KAP 51 в городе Львов
- Цены на автоусилитель Kicx KAP 51 в городе Харьков
- Цены на автоусилитель Kicx KAP 51 в городе Черновцы
- Цены на автоусилитель Kicx KAP 51 в городе Херсон
- Цены на автоусилитель Kicx KAP 51 в городе Ужгород
- Цены на автоусилитель Kicx KAP 51 в городе Сумы
Разыскиваете сведения про Kicx KAP 51? Вы на верном пути! На нашем сайте Technoportal.ua имеется вся нужная информация о данном товаре. Информация о ценах, отзывах, параметрах, а также лучшие предложения множества магазинов Украины. Простой подбор автоусилителей даст возможность вам быстро и четко определиться с подходящим товаром.>
Характеристики Kicx KAP 51
Основные характеристики
Автоусилитель
Производитель
Kicx
Количество каналов
5(4+1)
Тип
Автоусилитель
Мощность (RMS), Вт
Частотный диапазон, Гц
20-20000
КНИ (коэффициент нелинейных искажений), %
0,04
На канал 4 Ом
50х4+200х1
Отношение Сигнал/Шум, дБA
100
На канал 2 Ом
65х4+300х1
Входная чувствительность, В
0,15-5
Мостом 4 Ом
90х2+200х1
Входы
RCA(позолоченные)
Максимальная
780(120х4+1x300)
Входы высокого уровня
да
Сопротивление динамиков, Ом
2/4
Цепь обратной связи
нет данных
Входное сопротивление, кОм
47
Кроссовер/басовый эквалайзер
ФНЧ/ФВЧ (частота среза), Гц
30-500/30-500
Частота басового эквалайзера Bass EQ, Гц
45
Крутизна характеристики, дБ/Окт
24/12
Питание и эргономика
Напряжение питания, В
10,8-15,6
Габариты, мм
256х55х380
Вес, кг
нет данных
Защита
от перегрева, от нагрузки, от короткого замыкания
Прочее
Серия "FORMULA", класс АВ, используются сильноточные транзисторы MOSFET, двусторонняя эпоксидная центральная плата со сквозными монтажными отверстиями. Высокоэффективные полевые транзисторы