Модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH)
- О главном
- Цены (0)
- Отзывы (0)
- Вопросы-ответы (0)
К сожалению, предложений по продаже модуля памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в данное время нет.
Не нашли то, что искали?
G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH)
https://technoportal.ua/memory/gskill/gskill-f3-10666cl7d-4gbxh/comments.html
0
(0 оценок)
Оценить?
Популярные Модули памяти G.SKILL
- Цены на модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в городе Львов
- Цены на модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в городе Черновцы
- Цены на модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в городе Житомир
- Цены на модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в городе Ужгород
- Цены на модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в городе Чернигов
- Цены на модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в городе Ровно
- Цены на модуль памяти G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH) в городе Кировоград
На данной странице представлена информация о ценовых предложениях, мнениях, фото и видео G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH). Technoportal.ua призывает ваc сэкономить ваши средства и подобрать самую лучшую цену на данный товар среди множества магазинов, которые размещают свои прайс-строки на Технопортале. Экономьте своё время и деньги! Среди дополнительных инструментов - график изменения цены, а такжепросмотр магазинов на карте. Точки зрения покупателей опубликованы во вкладке Отзывы. Удачной покупки!>
Характеристики G.SKILL 4 GB (2x2GB) DDR3 1333 MHz (F3-10666CL7D-4GBXH)
Общие характеристики
Тип памяти:
DDR3
Форм-фактор:
DIMM 240-контактный
Тактовая частота:
1333 МГц
Пропускная способность:
10666 Мб/с
Поддержка ECC:
нет
Буферизованная (Registered):
нет
Объем:
2 модуля по 2 Гб
Низкопрофильная (Low Profile):
нет
Дополнительно
Радиатор:
есть
Напряжение питания:
1.5 В
Тайминги
CAS Latency (CL):
7
RAS to CAS Delay (tRCD):
7
Row Precharge Delay (tRP):
7
Activate to Precharge Delay (tRAS):
21