Модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в Полтаве
- О главном
- Цены (0)
- Отзывы (0)
- Вопросы-ответы (0)
К сожалению, предложений по продаже модуля памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в данное время нет.
Не нашли то, что искали?
G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR)
https://technoportal.ua/memory/gskill/gskill-f3-14900cl9d-8gbsr/comments.html
0
(0 оценок)
Оценить?
Популярные Модули памяти G.SKILL в Полтаве
- Цены на модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в городе Запорожье
- Цены на модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в городе Луцк
- Цены на модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в городе Николаев
- Цены на модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в городе Черновцы
- Цены на модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в городе Луганск
- Цены на модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в городе Полтава
- Цены на модуль памяти G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR) в городе Ровно
На данной странице представлена информация о ценовых предложениях, мнениях, фотографиях G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR). Technoportal.ua призывает ваc сэкономить деньги и подобрать самую лучшую цену на данный товар среди множества интернет-магазинов, которые размещают свои прайс-строки на нашем сайте. Экономьте своё время и деньги! Среди дополнительных инструментов - мониторинг изменения стоимости, а такжепросмотр магазинов на карте. Точки зрения покупателей размещены во вкладке Отзывы. Счастливой покупки!>
Характеристики G.SKILL 8 GB (2x4GB) DDR3 1866 MHz (F3-14900CL9D-8GBSR)
Общие характеристики
Тип памяти:
DDR3
Форм-фактор:
DIMM 240-контактный
Тактовая частота:
1866 МГц
Пропускная способность:
14900 Мб/с
Поддержка ECC:
нет
Буферизованная (Registered):
нет
Объем:
2 модуля по 4 Гб
Низкопрофильная (Low Profile):
нет
Дополнительно
Радиатор:
есть
Напряжение питания:
1.5 В
Тайминги
CAS Latency (CL):
9
RAS to CAS Delay (tRCD):
10
Row Precharge Delay (tRP):
9
Activate to Precharge Delay (tRAS):
28