Эти модули выполнены в форм-факторе SODIMM. Они базируются на чипах памяти изготовленных по 40-нанометровому технологическому процессу, работающих на частоте 1333 МГц при использовании напряжения 1,5 В. Как утверждает производитель, новый модуль экономит 53 % энергии по сравнению с двумя 4-гигабайтными модулями памяти DDR3.
24 сентября 2010 в 13:02 Сергей Моцар, ТехноПортал 753 просмотра
Корпорация Samsung объявила о начале массового выпуска модулей памяти DDR3 емкостью 8 Гб, которые будут использоваться в ноутбуках.