Intel создает новый тип памяти

28 октября 2009 в 17:30 • ТехноПортал • 829 просмотров


Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в создании Phase Change Memory (PCM) — нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле.

Это позволит создавать высокоскоростные системы хранения данных и память со случайным доступом, которые будут обладать более высокой плотностью хранения данных, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами.

В рамках совместных исследовательских работ компании смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S). Каждая включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 миллиона циклов перезаписи.



Ключевые слова: Intel, память



Комментарии


Сайт принадлежит компании ООО “Креатив Медиа” © 2007–2016
Карта сайта

ТехноПортал ВКонтакте ТехноПортал на Facebook ТехноПортал на Google+ ТехноПортал на YouTube