Сегодня Samsung осуществляет массовое производство по 45-нанометровым технологическим нормам, и, участвуя в консорциуме IBM Technology Alliance, готовится к переходу на технологический процесс нового поколения — 32 и 28 нанометров.
Центр полупроводниковых исследований и разработок планирует заниматься созданием производственного процесса следующего поколения как для логических микросхем, так и для чипов памяти, включая технологический процесс менее 28 нанометров. На этих участках Samsung предполагает использовать ноу-хау в сфере производства памяти для создания нового процесса выпуска логических микросхем, и наоборот.
Ожидается, что синергетический эффект будет достигнут в широком спектре технологий, включая изоляторы с высокой диэлектрической проницаемостью, трехмерные транзисторы, технологии литографии — такие как литография с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV).
Кроме того, Центр полупроводниковых исследований и разработок Samsung займется созданием решений для межсоединений и упаковки микросхем, созданных с использованием этих процессов, в том числе технологии сквозного вертикального соединения (TSV). Последняя предполагает вертикальную интеграцию кристаллов с помощью сквозных соединений в кремнии, которые увеличивают скорость и производительность устройств.
