Samsung начинает производство новых микросхем флеш-памяти

24 ноября 2009 в 18:50 • ТехноПортал • 908 просмотров


Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства микросхем флеш-памяти NAND с архитектурой многоуровневых ячеек (MLC) и асинхронным интерфейсом DDR (double data rate).

Новые микросхемы имеют емкость 32 гигабита и выпускаются по технологическим нормам 30-нанометрового класса. Первые поставки этих микросхем памяти ведущим OEM-производителям начнутся в конце текущего месяца.

Новая асинхронная технология DDR NAND, которую также называют Toggle-mode NAND, обладает более высокой (в три раза) скоростью чтения по сравнению с предыдущей технологией (SDR NAND). Скорость чтения микросхемы Toggle-mode NAND составляет 133 Мбит/с, тогда как у памяти SDR NAND она не превышала 40 Мбит/с.

При использовании чипов NAND с технологией Toggle-mode, выпущенных по технологическим нормам 30-нанометрового класса, количество сигналов передачи данных удваивается, причем без увеличения энергопотребления. Прирост производительности благодаря повышению скорости чтения в твердотельных дисках (SSD) составляет более 10 %, а в картах памяти — 400 %.



Ключевые слова: Samsung, Флэш-память



Комментарии


Сайт принадлежит компании ООО “Креатив Медиа” © 2007–2016
Карта сайта

ТехноПортал ВКонтакте ТехноПортал на Facebook ТехноПортал на Google+ ТехноПортал на YouTube