Intel и Micron запустили 25-нм технологию для NAND-памяти

1 февраля 2010 в 18:56 • ТехноПортал • 864 просмотра


Корпорация Intel и компания Micron Technology объявили о запуске 25-нанометровой технологии производства NAND-памяти.

Эта технология позволит снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных популярных потребительских устройств — смартфонов, медиаплееров и твердотельных накопителей. IM Flash Technologies (IMFT), совместное предприятие Intel и Micron по выпуску флэш-памяти, приступило к производству модулей NAND емкостью 8 Гб. Площадь решения составляет 167 мм2; оно помещается в отверстие в центре компакт-диска.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 8-гигабайтных модулей 25-нм NAND-памяти. Серийное производство планируется во II квартале 2010 года. Устройство использует многоуровневую структуру ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Решение помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). В новом модуле число чипов, по сравнению с решениями на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50 %. Это позволяет конструировать еще более вместительные решения с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Например, один SSD емкостью 256 Гб может содержать 32 новых модуля вместо 64; для 32-гигабайтного хранилища в смартфоне требуется 4 модуля, а для 16-гигабайтной карты памяти — всего два.



Ключевые слова: Intel, Micron Technology, память



Комментарии


Сайт принадлежит компании ООО “Креатив Медиа” © 2007–2016
Карта сайта

ТехноПортал ВКонтакте ТехноПортал на Facebook ТехноПортал на Google+ ТехноПортал на YouTube