Samsung представила новый чип памяти для мобильных устройств

20 мая 2011 в 15:36 • ТехноПортал • 1093 просмотра


Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства микросхем флеш-памяти NAND с архитектурой многоуровневых ячеек (MLC), использующих высокопроизводительный интерфейс Toggle DDR 2.0.

Новые чипы памяти NAND имеют емкость 64 гигабит (Гбит) и выпускаются по технологическим нормам 20-нанометрового класса. Микросхемы предназначены для высокопроизводительных устройств, таких как смартфоны, планшетные компьютеры и твердотельные диски (SSD).

Особенность 64-гигабитного чипа с архитектурой ячеек MLC — интерфейс Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0, который обеспечивает скорость передачи данных до 400 мегабит в секунду (Мбит/с). Это в 10 раз больше в сравнении с интерфейсом Single Data Rate (SDR), которым сегодня снабжаются микросхемы флеш-памяти NAND для массового рынка. Кроме того, этот интерфейс передает данные в три раза быстрее, чем его версия Toggle DDR 1.0 (133 Мбит/с), которым Samsung впервые оснастил чипы флеш-памяти емкостью 32 Гбит, представленные в 2009 году.

Микросхема памяти NAND емкостью 64 Гбит с архитектурой ячеек MLC имеет на 50 % более высокую производительность, чем чип 32-гигабитный чип MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR 1.0, выпущенный по нормам 20-нанометрового класса (эту микросхему Samsung начал производить в апреле). Кроме того, она вдвое производительнее, чем 32-гигабитный чип MLC NAND, производимый по технологии 30-нанометрового класса.



Ключевые слова: Samsung, чипы, флеш-память



Комментарии


Сайт принадлежит компании ООО “Креатив Медиа” © 2007–2016
Карта сайта

ТехноПортал ВКонтакте ТехноПортал на Facebook ТехноПортал на Google+ ТехноПортал на YouTube